| ਮਾਡਲ | ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | ਰੋਧਕਤਾ | ਆਕਾਰ | ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ | ਯੂਨਿਟ ਮੁੱਲ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | ਸੀਐਚ 9000 ਬੀ00000 | ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 12∽380 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | | |
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | ਸੀਐਚ 9001ਏ00000 | ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 3∽360 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | | |
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | CH9001B00000 | ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 3∽380 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | | |
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | ਸੀਐਚ 9002ਏ00000 | ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 7∽330 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | | |
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | CH9002B00000 | ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 3∽350 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | | |
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | CH9002C00000 | ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 10∽333 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | | |
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | ਸੀਐਚ 9002ਡੀ00000 | ਪੌਲੀਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 10∽333 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | | |
| ਹੋਰ+ਘੱਟ- | ਸੀਐਚ 9000 ਏ00000 | ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ | 0.005Ω∽50Ω/ਸੈ.ਮੀ. | 12∽380 ਮਿਲੀਮੀਟਰ | ਬੇਨਤੀ ਹਵਾਲਾ | |
"Ge ਕ੍ਰਿਸਟਲ" ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਤੱਤ ਜਰਮੇਨੀਅਮ (Ge) ਤੋਂ ਬਣੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਅਕਸਰ ਇਸਦੇ ਵਿਲੱਖਣ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਆਪਟਿਕਸ ਅਤੇ ਫੋਟੋਨਿਕਸ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਇੱਥੇ ਜਰਨੀਅਮ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਉਪਯੋਗਾਂ ਦੇ ਕੁਝ ਮੁੱਖ ਪਹਿਲੂ ਹਨ:
ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਤਰੀਕਿਆਂ ਨਾਲ ਉਗਾਏ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਜ਼ੋਚਰਾਲਸਕੀ (CZ) ਵਿਧੀ ਜਾਂ ਫਲੋਟ ਜ਼ੋਨ (FZ) ਵਿਧੀ। ਇਹਨਾਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਖਾਸ ਗੁਣਾਂ ਵਾਲੇ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਢੰਗ ਨਾਲ ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਨੂੰ ਪਿਘਲਾਉਣਾ ਅਤੇ ਠੋਸ ਕਰਨਾ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ।
ਇਹ ਧਿਆਨ ਦੇਣਾ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ ਕਿ ਜਦੋਂ ਕਿ ਜਰਮੇਨੀਅਮ ਵਿੱਚ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਆਪਟਿਕਸ ਲਈ ਵਿਲੱਖਣ ਗੁਣ ਹਨ, ਇਸਦੀ ਵਰਤੋਂ ਲਾਗਤ, ਉਪਲਬਧਤਾ ਅਤੇ ਜ਼ਿੰਕ ਸੇਲੇਨਾਈਡ (ZnSe) ਜਾਂ ਜ਼ਿੰਕ ਸਲਫਾਈਡ (ZnS) ਵਰਗੀਆਂ ਕੁਝ ਹੋਰ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਇਸਦੀ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਤੰਗ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਸੀਮਾ ਵਰਗੇ ਕਾਰਕਾਂ ਦੁਆਰਾ ਸੀਮਿਤ ਹੈ। ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਚੋਣ ਆਪਟੀਕਲ ਸਿਸਟਮ ਦੇ ਖਾਸ ਉਪਯੋਗ ਅਤੇ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੀ ਹੈ।